（三）IC的去耦

    通常IC仅通过电容来达到去耦的目的，因为电容并不理想，所以会产生谐振。在大于谐振频率时，电容表现得象个电感，这就意味着di/dt受到了限制。电容的值由IC管脚间允许的电源电压波动来决定，根据资深设计人员的实践经验，电压波动应小于信号线最坏状况下的噪声容限的25％，下面公式可计算出每种逻辑系列输出门电路的最佳去耦电容值： I=c?dV/dt
    对快速逻辑电路来说，如果去耦电容含有很大串联电感（这种电感也许是由电容的结构、长的连接线或PCB的印制线路造成的），电容的值可能不再有用。这时则需要在尽可能靠近IC管脚的地方加入另外一个小陶瓷电容（100-100Pf）,与"LF-"去耦电容并联。陶瓷电容的谐振频率（包括到IC电源管脚的线路长度）应高于逻辑电路的带宽[1/(π.τr)],其中，τr是逻辑电路中电压的上升时间。
    如果每个IC都有去耦电容，信号回路电流可选择最方便的路径，VEE或者VCC，这可以由传送信号的线路和电源线路间的互耦来决定。在两个去耦电容（每个IC一个）和电源线路形成的电感Ltrace之间，会形成串联谐振电路，这种谐振只可以发生在低频（＜1MHz＝或谐振电路的Q值较低（＜2＝的情况下。 通过将高射频损耗扼流线圈串联在Vcc网络和要去耦的IC中，可使谐振频率保持在1MHz以下，如果射频损耗太低可通过并联或串联电阻来补偿。 扼流线圈应该总是采用封闭的内芯，否则它会成为一个射频发射器或磁场铁感应器。
    去耦电容的串联电感和连接线路的电感对射频电源电流分配没有多大影响，比如采用了一个1μH扼流线圈的情况。但它仍然会决定IC电源管脚间的电压波动。 因此，对每个IC采用适当的去耦方法：Lchoke+Cdec.电路块间就只需定义一条传输线。 对于τr<3ns的高速逻辑电路，与去耦电容串联的全部电感必须要很低。与电源管脚串联的50mm印制线路相当于一个50hH电感，与输出端的负载（典型值为50pF）一起决定了最小上升时间为3.2ns。如要求更快的上升时间，就必须缩短去耦电容的引脚。长度（最好无引脚）并缩短IC封装的引脚，例如可以用IC去耦电容，或最好采用将（电源）管脚在中间的IC与很小的3E间距（DIL）无引脚陶瓷电容相结合等方法来达到这一目的，也可以用带电源层和接地层的多层电路板。另外采用电源管脚在中间的SO封装还可得到进一步的改善。但是，使用快速逻辑电路时，应采用多层电路板。
（四）根据辐射决定环路面积
    无终点传输线的反射情况决定了线路的最大长度。由于对产品的EM辐射有强制性要求，因此环路区域的面积和线路长度都受到限制，如果采用非屏蔽外壳，这种限制将直接由PCB来实现。注意：如果在异步逻辑电路设计中采用串联端接负载，必须要注意会出现准稳性，特别是对称逻辑输入电路无法确定输入信号是高还是低，而且可能会导致非定义输出情况。
    对于频域中的逻辑信号，频谱的电流幅度在超出逻辑信号带宽（=1/π.τr）的频率上与频率的平方成反比。用角频率表示，环路的辐射阻抗仍随频率平方成正比。因而可计算出最大的环路面积，它由时钟速率或重复速率、逻辑信号的上升时间或带宽以及时域的电流幅度决定。电流波形由电压波形决定，电流半宽时间约等于电压的上升时间。
     电流幅度可用角频率（=1/π.τr）表示为： I(f)=2.I. τr/T其中： I=为时域电流幅度；T=为时钟速率的倒数，即周期；τr为电压的上升时间，约等于电流半宽时间τH。 从这一等式可计算出某种逻辑系列电路在某一时钟速率下最大环路面积，表5给出了相应的环路面积。最大环路面积由时钟速率、逻辑电路类型（=输出电流）和PCB上同时存在的开关环路数量n决定。 如果所用的时钟速率超过30MHz，就必须要采用多层电路板，在这种情况下，环氧树脂的厚度与层数有关，在60至300μm之间。只有当PCB上的高速时钟信号的数量有限时，通过采用层到层的线路进行仔细布线，也可在双层板上得到可以接受的结果。注意：在这种情况下，如采用普通DIL封装，则会超过环路面积的限制，一定要有另外的屏蔽措施和适当的滤波。
    所有连接到其它面板及部件的连接头必须尽可能相互靠近放置，这样在电缆中传导的共模电流就不会流入PCB电路中的线路，另外，PCB上参考点间的电压降也无法激励（天线）电缆。为避免这种共模影响，必须使靠近接头的参考地和PCB上电路的接地层、接地网格或电路参考地隔开，如果可能，这些接地片应接到产品的金属外壳上。从这个接地片上，只有高阻器件如电感、电阻、簧片继电器和光耦合器可接在两个地之间。所有的接头要尽可能靠近放置，以防止外部电流流过PCB上的线路或参考地。